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CS60N04A4

Silicon N-Channel Power MOSFET

Silicon N-Channel Trench MOSFET CS60N04 A4 ○R General Description: CS60N04A4,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in vario



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CS 60 Phase Control Thyristor VRRM = 1200-1600 V IT(RMS) = 75 A IT(AV)M = 48 A Preliminary Data Sheet VRSM VDSM V 1300 1500 1700 VRRM VDRM V 1200 1400 1600 CS 60-12io1 CS 60-14io1 CS 60-16io1 Type A C C A G A (TAB) PLUS247 G C = Cathode, A = Anode, G = Gate Symbol IT(RMS) IT(AV)M ITSM Test C


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CS60-12IO1

Phase Control Thyristor

CS 60 Phase Control Thyristor VRRM = 1200-1600 V IT(RMS) = 75 A IT(AV)M = 48 A Preliminary Data Sheet VRSM VDSM V 1300 1500 1700 VRRM VDRM V 1200 1400 1600 CS 60-12io1 CS 60-14io1 CS 60-16io1 Type A C C A G A (TAB) PLUS247 G C = Cathode, A = Anode, G = Gate Symbol IT(RMS) IT(AV)M ITSM Test C


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CS60-14IO1

Phase Control Thyristor

CS 60 Phase Control Thyristor VRRM = 1200-1600 V IT(RMS) = 75 A IT(AV)M = 48 A Preliminary Data Sheet VRSM VDSM V 1300 1500 1700 VRRM VDRM V 1200 1400 1600 CS 60-12io1 CS 60-14io1 CS 60-16io1 Type A C C A G A (TAB) PLUS247 G C = Cathode, A = Anode, G = Gate Symbol IT(RMS) IT(AV)M ITSM Test C


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CS60-16IO1

Phase Control Thyristor

CS 60 Phase Control Thyristor VRRM = 1200-1600 V IT(RMS) = 75 A IT(AV)M = 48 A Preliminary Data Sheet VRSM VDSM V 1300 1500 1700 VRRM VDRM V 1200 1400 1600 CS 60-12io1 CS 60-14io1 CS 60-16io1 Type A C C A G A (TAB) PLUS247 G C = Cathode, A = Anode, G = Gate Symbol IT(RMS) IT(AV)M ITSM Test C


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