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CY62168DV30

16-Mbit (2048K x 8) Static RAM

CY62168DV30 MoBL 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM Features Very high speed: 55 ns and 70 ns Wide voltage range: 2.20V 3.60V Ultra-low active power Typical active current: 2 mA @ f = 1 MH- Typical active current: 15 mA @ f = fmax Ultra-low standby power Easy memory expansion with CE1, CE2 a



CY62168DV30 PDF 데이터시트

Cypress Semiconductor
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CY6116A-25LMB

2K x 8 Static RAM

6116A: 11, 8, 89 Revision: Monday, November 8, 1993 Features D D D D D D D Automatic power down when deselected CMOS for optimum speed, power High speed 20 ns Low active power 550 mW Low standby power 110 mW TTL compatible inputs and outputs Capable of withstanding greater than 2001V electrosta


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CY6116A-25PC

2K x 8 Static RAM

6116A: 11, 8, 89 Revision: Monday, November 8, 1993 Features D D D D D D D Automatic power down when deselected CMOS for optimum speed, power High speed 20 ns Low active power 550 mW Low standby power 110 mW TTL compatible inputs and outputs Capable of withstanding greater than 2001V electrosta


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CY6116A-35DMB

2K x 8 Static RAM

6116A: 11, 8, 89 Revision: Monday, November 8, 1993 Features D D D D D D D Automatic power down when deselected CMOS for optimum speed, power High speed 20 ns Low active power 550 mW Low standby power 110 mW TTL compatible inputs and outputs Capable of withstanding greater than 2001V electrosta


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CY6116A-35LMB

2K x 8 Static RAM

6116A: 11, 8, 89 Revision: Monday, November 8, 1993 Features D D D D D D D Automatic power down when deselected CMOS for optimum speed, power High speed 20 ns Low active power 550 mW Low standby power 110 mW TTL compatible inputs and outputs Capable of withstanding greater than 2001V electrosta


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CY6116A-35PC

2K x 8 Static RAM

6116A: 11, 8, 89 Revision: Monday, November 8, 1993 Features D D D D D D D Automatic power down when deselected CMOS for optimum speed, power High speed 20 ns Low active power 550 mW Low standby power 110 mW TTL compatible inputs and outputs Capable of withstanding greater than 2001V electrosta


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