D1170의 가격 정보 및 구매처를 확인 할 수 있습니다. |
|
|
검색 결과 목록
| D1170 NPN Transistor - 2SD1170
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1170
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 120V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 2000( Min.) @(IC= 3A, VCE= 2V) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC=   Inchange Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
|
D110280 (D1102xx) D-Subminiature Accessories  ITT  |
|
D1106 System Board
SYSTEMBAUGRUPPE D1106 SYSTEM BOARD D1106
TECHNISCHES HANDBUCH TECHNICAL MANUAL
Sie haben ...
... technische Fragen oder Probleme Wenden Sie sich bitte an: einen unserer Servicepartner Ihren zust ndigen Vertriebspartner Ihre Verkaufsstelle
Die Adressen Ihrer Servicepartner finden Sie im Gara  Fujitsu |
|
D111 Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD111
DESCRIPTION ·High Power Dissipation-
: PC= 100W@TC= 25℃ ·High Current Capability-
: IC = 10A
APPLICATIONS ·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC
converter and regulator applications.
ABSO  INCHANGE |
|
D1111 NPN Transistor - 2SD1111  Sanyo Semicon Device |
|
D1113 NPN Transistor - 2SD1113 2SD1113(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Igniter
Outline
TO-220AB
2
1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter
1
2 3
6 kΩ (Typ)
450 Ω (Typ) 3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector c  Hitachi Semiconductor |
|
국내 및 해외 전자부품 구매 정보 및 가격정보를 쉽게 확인 할수 있습니다. 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다. |
|
검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. 이 페이지에 대한 링크를 허용합니다. |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 맵 : 1, 2 |