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| D125F08 (D125F06 - D125F10) RECTIFIER DIODE w
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D125FF06 D125FF08 600 V - 1,000 V Rectifiers D125F06 - D125F10 3.0 A - 4.0 A Forward Current
30 ns - 50 ns Recovery Time
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Part Number Working Reverse Voltage (Vrwm) 55°C(1) Volts D125FF06 D125FF0   Voltage Multipliers |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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D1202 METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1202UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C N (typ) B 3 D (2 pls)
2 1 A
F (2 pls) H J
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W 12.5V 500MH- SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
M
I
E
K
G
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss USEFUL P  Seme LAB  |
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D1202UK METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1202UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C N (typ) B 3 D (2 pls)
2 1 A
F (2 pls) H J
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W 12.5V 500MH- SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
M
I
E
K
G
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss USEFUL P Seme LAB |
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D1203UK METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1203UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A B C
1
2
D E
4 M
3
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 30W 12.5V 500MH- SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
F
G
H
K
I
J
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
DRAIN GATE
DM
PIN 1 PIN 3 SOURCE SO Seme LAB |
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D1204 METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1204UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C D (2 pls) E
B
1
2
3
A
G
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 30W 12.5V 500MH- SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss
5
4
H I
F
M
K
J
N
DT
PIN 1 PI Seme LAB |
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D1204UK METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1204UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C D (2 pls) E
B
1
2
3
A
G
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 30W 12.5V 500MH- SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss
5
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H I
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DT
PIN 1 PI Seme LAB |
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