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D220

Diode (spec sheet)


핀배열 및 상세이미지
D220 핀배열



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American Microsemiconductor
American Microsemiconductor


D2200

NPN Transistor - 2SD2200

Ordering number:EN3151 PNP, NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1451, 2SD2200 80V, 5A Switching Applications Features · Surface mount type device making the following possible. -Reduction in the number of manufacturing processes for 2SB1451, 2SD2200-applied equipment. -High density surfac



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Sanyo
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D2201

NPN Transistor - 2SD2201

Ordering number:EN3152 PNP, NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1452, 2SD2201 80V, 7A Switching Applications Features · Surface mount type device making the following possible. -Reduction in the number of manufacturing processes for 2SB1452, 2SD2201-applied equipment. -High density surfac


Sanyo
Sanyo

datasheet D2201 pdf


D2201UK

METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D2201UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA C N (typ) B 3 D (2 pls) 2 1 A F (2 pls) H J GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 2.5W 12.5V 1GH- SINGLE ENDED FEATURES SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN M I E K G SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss SIMPLE BI


Seme LAB
Seme LAB

datasheet D2201UK pdf


D2202

NPN Transistor - 2SD2202

Ordering number:EN3249 PNP, NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1454, 2SD2202 High-Current Switching Applications Features · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Large current capacity. · Micaless package facilitating easy mounting. Package Dimensions unit:mm 2041A [2SB1454,


Sanyo
Sanyo

datasheet D2202 pdf


D2202UK

METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D2202UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA C N (typ) B 3 D (2 pls) 2 1 A F (2 pls) H J GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 5W 12.5V 1GH- SINGLE ENDED FEATURES SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN M I E K G SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss SIMPLE BIAS


Seme LAB
Seme LAB

datasheet D2202UK pdf


D2203

METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D2203UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA B H C 2 3 1 A D G E 5 4 F GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 5W 12.5V 1GH- PUSH PULL FEATURES SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN J K I N M O SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS VERY LOW Crss SIMPLE BIAS CIRCUITS L


Seme LAB
Seme LAB

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