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| D6849 NPN Transistor - 2SD6849 INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SD649
DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: VCBO= 1500V (Min) ·High Reliability
APPLICATIONS ·Designed for line-operated horizontal deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL PAR   Inchange Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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D689 Silicon NPN Darlington Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
DESCRIPTION ·High DC Current Gain: hFE = 1000(Min)@ IC= 1A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 100V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 1A ·Compleme  INCHANGE  |
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