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DMTH6005LK3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

NEW PNREOWDPURCOTDUCT Green DMTH6005LK3 60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary BVDSS 60V RDS(ON) max 5.6mΩ @ VGS = 10V ID TC = +25°C 90A Description and Applications This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior



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DMTH6005LK3Q

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Green DMTH6005LK3Q 60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary BVDSS 60V RDS(ON) max 5.6mΩ @ VGS = 10V ID TC = +25°C 90A Description and Applications This MOSFET has been designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AECQ101, sup



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DMT10H010LCT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Green DMT10H010LCT 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS 100V RDS(ON) 9.5mΩ @VGS = 10V Package TO220AB ID TC = +25°C 98A Description This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high-efficiency power management appli


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DMT10H010LK3

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Product Summary BVDSS 100V RDS(ON) Max 8.8mΩ @ VGS = 10V 11.3mΩ @ VGS = 6.0V ID TC = +25°C 68.8A 60.7A Green DMT10H010LK3 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losse


Diodes
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DMT10H010LPS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ADVANCED INFORMATION Product Summary Green DMT10H010LPS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Features BVDSS 100V RDS(ON) Max 8.3mΩ @ VGS = 10V ID TC = +25°C 98A Description This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior


Diodes
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DMT10H010LSS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

A DAVDAVNACNECDEI INNNEFFOWORRPMRMAOATDIT IUOOCNNT DMT10H010LSS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary BVDSS 100V RDS(ON) Max 9.5mΩ @ VGS = 10V ID TC = +25°C 29.5A Description and Applications This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(


Diodes
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DMT10H014LSS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

A DAVDAVNACNECDEI INNNEFFOWORRPMRMAOATDIT IUOOCNNT DMT10H014LSS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary BVDSS 100V RDS(ON) Max 14mΩ @ VGS = 10V 18mΩ @ VGS = 6.0V ID TA = +25°C 8.9A 7.9A Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production High Co


Diodes
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