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| EMB14N10CS Field Effect Transistor
N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
100V
D
RDSON (MAX.)
14.6mΩ
ID 62A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
  Excelliance MOS |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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EMB02N60AB Field Effect Transistor
N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
600V
D
RDSON (MAX.)
4.0Ω
ID 2A
G
UIS, 100% Tested
S
Pb Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYM Excelliance MOS  |
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EMB02N60CSB Field Effect Transistor
N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
600V
D
RDSON (MAX.)
4.0Ω
ID 2A
G
UIS, 100% Tested
S
Pb Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYM Excelliance MOS |
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EMB02Q03HP Field Effect Transistor
N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N CH Q1 N CH Q2 BVDSS 30V 30V RDSON (MAX.) 5.0mΩ 2.0mΩ ID 53A 95A UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIO Excelliance MOS |
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EMB03K03HP Field Effect Transistor (Preliminary)
N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
S2 S2 S2 G2
N CH Q1 N CH Q2
BVDSS
30V
RDSON (MAX.) 7mΩ
30V 3.5mΩ
D2 , S1
ID 15A 25A
D1
UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free
D1 D1 D1 PIN 1 (G1)
ABSOLUTE MAXI Excelliance MOS |
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EMB03N03A Field Effect Transistor
N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
D
RDSON (MAX.)
3.5mΩ
ID 80A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
S Excelliance MOS |
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