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| FDB029N06 N-Channel PowerTrench MOSFET FDB029N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET
June 2009
FDB029N06
N-Channel PowerTrench® MOSFET
60V, 193A, 3.1mΩ Features
RDS(on) = 2.4mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A Fast Switching Speed Low Gate Charge High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) High Power and Current Handl PDF 다운로드  Fairchild Semiconductor |
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