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| FDB3860 N-Channel MOSFET FDB3860 N-Channel PowerTrench® MOSFET
March 2009
FDB3860
N-Channel PowerTrench® MOSFET
100 V, 30 A, 37 mΩ
Features
Max rDS(on) = 37 mΩ at VGS = 10 V, ID = 5.9 A High performance trench technology for extremely low rDS(on) 100% UIL tested RoHS Compliant
General Description
This N-Channel PDF 다운로드  Fairchild Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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