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FDD6796

N-Channel MOSFET

FDD6796 N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2008 FDD6796 N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM


Fairchild Semiconductor
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FDD6796A

N-Channel MOSFET

FDD6796A / FDU679A_F071 N-Channel PowerTrench® MOSFET March 2009 FDD6796A / FDU6796A_F071 N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 5.7 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous


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FDD6796 - onsemi

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK



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FDD6796 - Rochester Electronics LLC
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MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

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FDD6796 - Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6796 데이터시트

20A, 25V, 0.0057ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-252 '

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FDD6796A - Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6796A 데이터시트

20A, 25V, 0.0057ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-252 '

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500 개당: 0.5119 USD
100 개당: 0.5347 USD
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FDD6796A - Fairchild Semiconductor Corporation



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467 개당: 1.1484 USD
1 개당: 2.784 USD

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FDD044AN03L

N-Channel PowerTrench MOSFET

FDD044AN03L / FDU044AN03L December 2003 FDD044AN03L / FDU044AN03L N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 35A, 4.4mΩ Features • rDS(ON) = 3.6mΩ (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A • Qg(5) = 48nC (Typ.), VGS = 5V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetit


Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

datasheet FDD044AN03L pdf


FDD05

DC-DC CONVERTER 5 ~ 6W

FDD05 SERIES DC-DC CONVERTER 5 ~ 6W FDD05 – 05 S 1 WATTAGE 03 05 12 15 : 3.3V OUT : 5V OUT : 12V OUT : 15V OUT S : SINGLE OUTPUT D : DUAL OUTPUT 1: 2: 3: 4: 5: *: 9~18V 18~36V 36~72V 9~36V 18~72V 20~60V IN IN IN IN IN IN *=BLANK MODEL LIST MODEL NO. INPUT VOLTAGE OUTPUT WAT


ETC
ETC

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FDD050N03B

N-Channel PowerTrench MOSFET

FDD050N03B N-Channel PowerTrench® MOSFET March 2013 FDD050N03B N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 90 A, 5.0 mΩ Features • RDS(on) = 3.7 mΩ ( Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 25 A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge, QG = 33 nC( Typ.) • High Performance Trench Technology for Extremely Low


Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

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FDD068AN03

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V/ 35A/ 6.8m

FDD068AN03L / FDU068AN03L December 2003 FDD068AN03L / FDU068AN03L N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 35A, 6.8mΩ Features • rDS(ON) = 5.7mΩ (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A • Qg(5) = 24nC (Typ.), VGS = 5V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetit


Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

datasheet FDD068AN03 pdf


FDD068AN03L

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V/ 35A/ 6.8m

FDD068AN03L / FDU068AN03L December 2003 FDD068AN03L / FDU068AN03L N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 35A, 6.8mΩ Features • rDS(ON) = 5.7mΩ (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A • Qg(5) = 24nC (Typ.), VGS = 5V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetit


Fairchild Semiconductor
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