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| FDI040N06 N-Channel MOSFET FDI040N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET
June 2009
FDI040N06
N-Channel PowerTrench® MOSFET
60V, 168A, 4.0mΩ Features
RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A Fast Switching Speed Low Gate Charge High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) High Power and Current Han PDF 다운로드  Fairchild Semiconductor |
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관련 검색 목록
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FDI040N06 N-Channel MOSFET FDI040N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET
June 2009
FDI040N06
N-Channel PowerTrench® MOSFET
60V, 168A, 4.0mΩ Features
RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A Fast Switching Speed Low Gate Charge High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) High Power and Current Han Fairchild Semiconductor  |
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FDI045N10A N-Channel PowerTrench MOSFET FDP045N10A , FDI045N10A N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDP045N10A , FDI045N10A
N-Channel PowerTrench® MOSFET
100 V, 164 A, 4.5 mΩ
November 2013
Features
RDS(on) = 3.8 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A Fast Switching Speed Low Gate Charge, QG = 54 nC (Typ.) High Performance Trench Tech Fairchild Semiconductor |
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FDI047AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V/ 80A/ 4.7m FDP047AN08A0 , FDI047AN08A0 , FDH047AN08A0
June 2004
FDP047AN08A0 , FDI047AN08A0 , FDH047AN08A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.7mΩ
Features
rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Sin Fairchild Semiconductor |
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FDI047AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET FDP047AN08A0 , FDI047AN08A0 , FDH047AN08A0
June 2004
FDP047AN08A0 , FDI047AN08A0 , FDH047AN08A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.7mΩ
Features
rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Sin Fairchild Semiconductor |
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FDI100 Diode ( Rectifier )  American Microsemiconductor |
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