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| FDM21-05QC Q-Class Power MOSFETs
FMD 21-05QC FDM 21-05QC
Q-Class Power MOSFETs
Chopper Topologies in ISOPLUS i4-PACTM
FMD
3 3 5 4 1 2 2 4
ID25 = 21 A = 500 V VDSS RDSon typ. = 190 mΩ
FDM
Preliminary data
1 5
MOSFET Symbol VDSS VGS ID25 ID90 TC = 25°C TC = 90°C Conditions TVJ = 25°C to 150°C Maximum Ratings 500 ±20 21   IXYS Corporation |
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FDM2452NZ Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FDM2452NZ
July 2005
FDM2452NZ
Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET
General Description
This dual N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v on special MicroFET lead frame w  Fairchild Semiconductor  |
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FDM3300NZ Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FDM3300NZ
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Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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FDM3622 N-Channel PowerTrench MOSFET FDM3622 N-Channel PowerTrench® MOSFET
January 2005
FDM3622 N-Channel PowerTrench® MOSFET
100V, 4.4A, 60mΩ Features
r DS(ON) = 44mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.4A Qg(tot) = 13nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode Optimized efficiency at high frequencies UIS Capability (Singl Fairchild Semiconductor |
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FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET FDM606P
July 2002
FDM606P
P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench® MOSFET
General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for Fairchild Semiconductor |
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FDM6296 Single N-Channel / Logic-Level / PowerTrench MOSFET FDM6296 Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench® MOSFET
December 2004
FDM6296 Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench® MOSFET
Features
■ 11.5 A, 30 V RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 15 mΩ @ VGS = 4.5 V ■ Low Qg, Qgd and Rg for ef cient switching performance ■ Low Pro le Fairchild Semiconductor |
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