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FDP19N40

N-Channel MOSFET

FDP19N40 , FDPF19N40 N-Channel MOSFET October FDP19N40 , FDPF19N40 N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24Ω Features RDS(on) =0.2Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9.5A Low Gate Charge ( Typ. 32nC) Low Crss ( Typ. 20pF) Fast Switching 100% Avalanche Tested Improved dv, dt Capability RoHS Compliant Un



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FDP027N08B

N-Channel PowerTrench MOSFET

FDP027N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET FDP027N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 223 A, 2.7 mΩ November 2013 Features RDS(on) = 2.21 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A Low FOM RDS(on) * QG Low Reverse-Recovery Charge, Qrr = 112 nC Soft Reverse-Recovery Body Diode Enables High Ef


Fairchild Semiconductor
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FDP030N06

MOSFET ( Transistor )

FDP030N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET FDP030N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 193 A, 3.2 mΩ November 2013 Features RDS(on) = 2.6 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A Fast Switching Speed Low Gate Charge High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) High Power and Cur


Fairchild Semiconductor
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FDP030N06B_F102

MOSFET ( Transistor )

FDP030N06B_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET FDP030N06B_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 195 A, 3.1 mΩ November 2013 Features RDS(on) = 2.67 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A Low FOM RDS(on) * QG Low Reverse-Recovery Charge, Qrr = 78 nC Soft Reverse-Recovery Body Diode Enables


Fairchild Semiconductor
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FDP032N08

MOSFET ( Transistor )

FDP032N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET FDP032N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 235 A, 3.2 mΩ November 2013 Features RDS(on) = 2.5 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A Fast Switching Speed Low Gate Charge High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) High Power and Cur


Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

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FDP032N08B

MOSFET ( Transistor )

FDP032N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET FDP032N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 211 A, 3.3 mΩ November 2013 Features RDS(on) = 2.85 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 50 A Low FOM RDS(on) * QG Low Reverse-Recovery Charge, Qrr Soft Reverse-Recovery Body Diode Enables High Efficiency in


Fairchild Semiconductor
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