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| FGD12-502 Diode ( Rectifier )   American Microsemiconductor |
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FGD13-502 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor  |
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FGD2N40L 400V N-Channel Logic Level IGBT
FGD2N40L 400V N-Channel Logic Level IGBT
March 2006
FGD2N40L
400V N-Channel Logic Level IGBT
Features
VCE(SAT) = 1.6V @ IC = 2.5A, VGE = 2.4V 6kV ESD Protected High Peak Current Density TO-252 (D-Pak) Low VGE(TH)
General Description
This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device wh  Fairchild Semiconductor |
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FGD3040G2_F085 N-Channel Ignition IGBT FGB3040G2_F085 , FGD3040G2_F085 , FGP3040G2_F085 , FGI3040G2_F085
May 2014
FGB3040G2_F085 , FGD3040G2_F085 FGP3040G2_F085 , FGI3040G2_F085
EcoSPARK®2 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
Features
SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25oC
Logic Level Gate Drive
Applications
Automotive lgnition C Fairchild Semiconductor |
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FGD3245G2_F085 N-Channel Ignition IGBT FGD3245G2_F085 , FGB3245G2_F085
FGD3245G2_F085 , FGB3245G2_F085
EcoSPARK®2 320mJ, 450V, N-Channel Ignition IGBT
May 2014
Features
SCIS Energy = 320mJ at TJ = 25oC Logic Level Gate Drive
Low Saturation Voltage
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Applications
Automotive lgnition Coil Driv Fairchild Semiconductor |
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FGD3325G2_F085 N-Channel Ignition IGBT FGD3325G2_F085 EcoSPARK®2 330mJ, 250V, N-Channel Ignition IGBT
FGD3325G2_F085
EcoSPARK®2 330mJ, 250V, N-Channel Ignition IGBT
April 2015
Features
SCIS Energy = 330mJ at TJ = 25oC Logic Level Gate Drive
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Applications
Automotive lgnition Coil Driver Circu Fairchild Semiconductor |
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