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FQP10N20

200V N-Channel MOSFET

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Fairchild Semiconductor
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FQP10N20C

200V N-Channel MOSFET

FQP10N20C, FQPF10N20C QFET FQP10N20C, FQPF10N20C 200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize


Fairchild Semiconductor
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FQP10N20L

200V LOGIC N-Channel MOSFET

FQP10N20L December 2000 QFET FQP10N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state


Fairchild Semiconductor
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FQP10N50CF

N-Channel MOSFET

FQP10N50CF , FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET December 2006 FRFET FQP10N50CF , FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET Features 10A, 500V, RDS(on) = 0.61 Ω @VGS = 10 V Low gate charge (typical 43 nC) Low Crss (typical 16pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv, dt capability Fast


Fairchild Semiconductor
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FQP10N60

N-Channel MOSFET

FQP10N60-FQPF10N60 600V,10A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The FQP10N60 & FQPF10N60 are fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss


Oucan Semi
Oucan Semi

datasheet FQP10N60 pdf


FQP10N60C

600V N-Channel MOSFET

FQP10N60C , FQPF10N60C N-Channel QFET® MOSFET November 2013 FQP10N60C , FQPF10N60C N-Channel QFET® MOSFET 600 V, 9.5 A, 730 mΩ Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advan


Fairchild Semiconductor
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