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| FS300R12KE3 IGBT Technische Information , technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS300R12KE3
- EconoPACK™+ Modul mit Trench, Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode - EconoPACK™+ with trench, fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
IGBT-Wechselrichter , IGBT-inverter
# $ % 2 # $ . A % & ; $   Eupec |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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FS300R17KE3 IGBT Technische Information , technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS300R17KE3
Vorl ufige Daten , preliminary data
., 01 5, 678 5, 5, => ;B7B .C01 ! '() * +,'() * +,., 0 HIB .C0BJ KC CM6B . . -MPH -SPH 5, 01 5C01 '() * +,'() * +,'() * +,'() * +,'() * +,'() * +,'() * +,'() * +,'() * +,'() * Eupec  |
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FS300R17KE4 IGBT Technische Information , technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS300R17KE4
Vorl ufige Daten , preliminary data
() *+,2+ 345 2+ 2+;< ()1 $%& ' ., () 8@4@ *B,., 6 6, = .A CD E 16 * * 7 7 7
EconoPACK™+ Modul mit Trench, Feldstop IGBT4 und Emitter Controlled³ Diode EconoPACK™+ modul  Infineon Technologies |
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FS30AS-06 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE FS30AS-06
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS30AS-06
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
6.5 5.0 ± 0.2 r
Dimensions in mm 0.5 ± 0.1
1.5 ± 0.2
5.5 ± 0.2 10MAX.
2.3MIN.
1.0MAX.
¡10V DRIVE ¡VDSS .................................................................................. 60V ¡rDS (  Mitsubishi Electric Semiconductor |
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FS30AS-06 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS2KM-12
HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS2KM-12
OUTLINE DRAWING
10 ± 0.3 6.5 ± 0.3 3 ± 0.3
Dimensions in mm
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ 3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2 1.1 ± 0.2 0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25 4.5 ± 0.2 q GATE w DRAI  Powerex Power Semiconductors |
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FS30AS-2 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS2KM-12
HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS2KM-12
OUTLINE DRAWING
10 ± 0.3 6.5 ± 0.3 3 ± 0.3
Dimensions in mm
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ 3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2 1.1 ± 0.2 0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25 4.5 ± 0.2 q GATE w DRAI Mitsubishi Electric Semiconductor |
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