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GP200MHS12 Half Bridge IGBT Module GP200MHS12
GP200MHS12
Half Bridge IGBT Module
Replaces GP200MHB12S January 1999 version, DS4339-5.5 DS5296-1.5 November 2000
FEATURES
s s s
Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction
KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(PK)
1200V 2.7  Dynex Semiconductor  |
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GP200MHS18 Half Bridge IGBT Module GP200MHS18
GP200MHS18
Half Bridge IGBT Module
DS5304-3.1 January 2001
FEATURES
s s s s
Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction 200A Per Arm
KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(PK)
1800V 3.5V 200A 400A
APPLICATIONS
s s s s
High Dynex Semiconductor |
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GP200MKS12 IGBT Chopper Module Preliminary Information GP200MLK12
GP200MKS12
IGBT Chopper Module Preliminary Information
DS5448-1.2 April 2001
FEATURES
s s s s
Internally Configured With Upper Arm Controlled Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction
KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(P Dynex Semiconductor |
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GP200MLS12 IGBT Chopper Module Preliminary Information GP200MLS12
GP200MLS12
IGBT Chopper Module Preliminary Information
DS5421-1.5 April 2001
FEATURES
s s s s
Internally Configured With Lower Arm Controlled Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction
KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(P Dynex Semiconductor |
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GP2010 GPS Receiver RF Front End GP2010
GPS Receiver RF Front End
Supersedes edition in August 1996 Global Positioning Products Handbook, HB4305-1.0 DS4056 - 3.4 October 1996
The GP2010 is Mitel Semiconductor second generation RF Front-end for Global Positioning System (GPS) receivers. The GP2010 uses many innovative design techni  Mitel Networks Corporation |
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