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| GT28F016B3B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE E
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PRELIMINARY
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE 8-MBIT (1024K x 8), 16-MBIT (2056K x 8) FLASH MEMORY FAMILY
28F008B3, 28F016B3
Flexible SmartVoltage Technology 2.7V 3.6V Program, Erase 2.7V 3.6V Read Operation 12V VPP Fast Production Programming 2.7V or 1.8V I, O Option Reduces Over   Intel Corporation |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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GT20J101 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT20J101
Preliminary
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT20J101
High Power Switching Applications
Unit: mm The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed: tf = 0.30 s (max) Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteri Toshiba Semiconductor |
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GT20J301 N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING/ MOTOR CONTROL APPLICATIONS) Toshiba Semiconductor |
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