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검색 결과 목록
| GTS217E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
ISSUED DATE :2004, 10, 13 REVISED DATE :2006, 12, 25B
GTS217E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 22m 7A
The GTS217E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. *Low on-resi   GTM |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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GTS9926 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 05, 08 REVISED DATE :2006, 07, 27B
GTS9926
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 28m 6A
Description
The GTS9926 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistanc GTM  |
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GTS9926E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
ISSUED DATE :2005, 01, 07 REVISED DATE :2006, 12, 25B
GTS9926E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 28m 4.6A
The GTS9926E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. *Low on- GTM |
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GTS9928E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2004, 10, 13 REVISED DATE :2005, 08, 10B
GTS9928E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 22m 5A
The GTS9928E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost- GTM |
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