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| H40N03E N-Channel Enhancement-Mode MOSFET HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : MOS200517 Issued Date : 2005.12.01 Revised Date : 2005.12.16 Page No. : 1, 5
H40N03E
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 40A)
H40N03E Pin Assignment
Tab
Features
RDS(on)=16mΩ@VGS=10V, ID=20A RDS(on)=25mΩ@VGS=4.5V, ID=20A Advanced trench PDF 다운로드  Hi-Sincerity Mocroelectronics |
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H4083 Charge amplifier  Hamamatsu Corporation  |
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H40N03E N-Channel Enhancement-Mode MOSFET HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : MOS200517 Issued Date : 2005.12.01 Revised Date : 2005.12.16 Page No. : 1, 5
H40N03E
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 40A)
H40N03E Pin Assignment
Tab
Features
RDS(on)=16mΩ@VGS=10V, ID=20A RDS(on)=25mΩ@VGS=4.5V, ID=20A Advanced trench Hi-Sincerity Mocroelectronics |
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H40RF60 IGBT IGBT
ReverseconductingIGBT
IHW40N60RF
InductiveHeatingSeries
Datasheet
IndustrialPowerControl
IHW40N60RF
IH-series
ReverseconductingIGBT
Features: Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly TRENCHSTOPTMtechnologyapplicationsoffer  Infineon Technologies |
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H40T120 IGBT IHW40T120
Soft Switching Series
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
Short circuit withstand time 10 s Designed for : - Soft Switching Applications - Induction Heating TrenchStop® and Fieldstop techno  Infineon |
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H40T60 IGBT Soft Switching Series
IHW40N60T q
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® -technology with anti-parallel diode
Features:
Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C
C
Short circuit withstand time 5 s TrenchStop® and Fieldstop technology for 600 V applications
G E
Infineon |
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