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| J13009 FJP13009
FJP13009 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
March 2007
FJP13009
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply
1
TO-220 2.Collector 3.Emitter
1.Base
Absolute Maximu 핀배열 및 상세이미지    Fairchild Semiconductor |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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J132 MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS
2SJ132, 2SJ132-Z
P-CHANNEL POWER MOS FET FOR SWITCHING
FEATURES Gate drive available at logic level (VGS = 4 V) High current control available in small
dimension due to low RDS(on) ( 0.25 Ω) 2SJ132-Z is a lead process product and is deal
for mount  NEC  |
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J132-Z MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS
2SJ132, 2SJ132-Z
P-CHANNEL POWER MOS FET FOR SWITCHING
FEATURES Gate drive available at logic level (VGS = 4 V) High current control available in small
dimension due to low RDS(on) ( 0.25 Ω) 2SJ132-Z is a lead process product and is deal
for mount NEC |
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J133 MOS FET  ETC |
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J133 P-CHANNEL POWER MOS FET DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS
2SJ133, 2SJ133-Z
P-CHANNEL POWER MOS FET FOR SWITCHING
FEATURES Gate drive available at logic level (VGS = 4 V) High current control available in small
dimension due to low RDS(on) ( 0.45 Ω) 2SJ133-Z is a lead process product and is deal
for mount NEC |
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J133-Z MOS FET ETC |
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