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| K10A50D TK10A50D TK10A50D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
TK10A50D
Switching Regulator Applications
Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 5.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) Enhan 핀배열 및 상세이미지    Toshiba |
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K1000MA650 Medium Voltage Thyristor WESTCODE
An IXYS Company
Date:- 22 June, 2011 Data Sheet Issue:- P1
Prospectve Data
Medium Voltage Thyristor Type K1000M#600 to K1000M#650
Development Type No. KX283M#600-650
Absolute Maximum Ratings
VDRM VDSM VRRM VRSM
VOLTAGE RATINGS
Repetitive peak off-state voltage, (note 1) Non-repetitive p  IXYS  |
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K1000ME600 Medium Voltage Thyristor WESTCODE
An IXYS Company
Date:- 22 June, 2011 Data Sheet Issue:- P1
Prospectve Data
Medium Voltage Thyristor Type K1000M#600 to K1000M#650
Development Type No. KX283M#600-650
Absolute Maximum Ratings
VDRM VDSM VRRM VRSM
VOLTAGE RATINGS
Repetitive peak off-state voltage, (note 1) Non-repetitive p IXYS |
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K1000ME650 Medium Voltage Thyristor WESTCODE
An IXYS Company
Date:- 22 June, 2011 Data Sheet Issue:- P1
Prospectve Data
Medium Voltage Thyristor Type K1000M#600 to K1000M#650
Development Type No. KX283M#600-650
Absolute Maximum Ratings
VDRM VDSM VRRM VRSM
VOLTAGE RATINGS
Repetitive peak off-state voltage, (note 1) Non-repetitive p IXYS |
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K1006-01MR MOSFET ( Transistor ) - 2SK1006-01MR  Fuji Electric |
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K1007 MOSFET ( Transistor ) - 2SK1007 Fuji Electric |
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