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K1908 MOSFET ( Transistor ) - 2SK1908 핀배열 및 상세이미지 ![]() ![]() ![]() Sanyo Semicon Device |
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K1918 Silicon N-Channel MOS FET 2SK1918(L), 2SK1918(S)
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Avalanche ratings
Outline
LDPAK
4 ![]() Hitachi ![]() |
K1923 600V / 4A / N-Channel MOSFET 2SK1918(L), 2SK1918(S)
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Avalanche ratings
Outline
LDPAK
4 ![]() Sanyo ![]() |
K192A MOSFET ( Transistor ) - 2SK192A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK192A
FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications
2SK192A
Unit: mm
· High power gain: GPS = 24dB (typ.) (f = 100 MHz) · Low noise figure: NF = 1.8dB (typ.) (f = 100 MHz) · High forward transfer admittance: |Yfs| = 7 mS ![]() Toshiba Semiconductor ![]() |
K193 N-Channel FET (2SK193) ![]() NEC ![]() |
K1930 MOSFET ( Transistor ) - 2SK1930 2SK1930
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π MOSII.5)
2SK1930
Chopper Regulator, DC DC Converter, and Motor Drive Applications
Unit: mm
l Low drain source ON resistance : RDS (ON) = 3.0 Ω (typ.) l High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.0 S (typ.) l Low leakage cu ![]() Toshiba Semiconductor ![]() |
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