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K4X1G163PC-FE Mobile DDR SDRAM K4X1G163PC - L(F)E, G 64Mx16 Mobile DDR SDRAM
1. FEATURES
VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 3 ) - ![]() ![]() Samsung semiconductor |
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관련 검색 목록
K4X1G163PC-LG Mobile DDR SDRAM K4X1G163PC - L(F)E, G 64Mx16 Mobile DDR SDRAM
1. FEATURES
VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 3 ) - ![]() Samsung semiconductor ![]() |
K4X1G163PE-FGC6 64Mx16 Mobile DDR SDRAM K4X1G163PE - FGC6(8)
Mobile DDR SDRAM
64Mx16 Mobile DDR SDRAM
(VDD, VDDQ 1.8V, 1.8V)
-1-
Revision 1.1 February 2009
http:, , www.0PDF.com
K4X1G163PE - FGC6(8) Document Title
64Mx16 Mobile DDR SDRAM (VDD, VDDQ 1.8V, 1.8V)
Mobile DDR SDRAM
Revision History
Revision No. 0.0 1.0 History - First ![]() Samsung ![]() |
K4X1G163PE-FGC8 64Mx16 Mobile DDR SDRAM K4X1G163PE - FGC6(8)
Mobile DDR SDRAM
64Mx16 Mobile DDR SDRAM
(VDD, VDDQ 1.8V, 1.8V)
-1-
Revision 1.1 February 2009
http:, , www.0PDF.com
K4X1G163PE - FGC6(8) Document Title
64Mx16 Mobile DDR SDRAM (VDD, VDDQ 1.8V, 1.8V)
Mobile DDR SDRAM
Revision History
Revision No. 0.0 1.0 History - First ![]() Samsung ![]() |
K4X1G323PC-FE 32Mx32 Mobile DDR SDRAM K4X1G323PC - L(F)E, G 32Mx32 Mobile DDR SDRAM
1. FEATURES
VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 3 ) - ![]() Samsung semiconductor ![]() |
K4X1G323PC-FG 32Mx32 Mobile DDR SDRAM K4X1G323PC - L(F)E, G 32Mx32 Mobile DDR SDRAM
1. FEATURES
VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 3 ) - ![]() Samsung semiconductor ![]() |
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