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LN9926LT1G

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LN9926LT1GDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A) Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of advanced trench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V-10V) Fea


LRC
LRC

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LN9T08A

High performance AC / DC switching power supply controller ICs

澎湃驅動力 源於力生美 LN9T08A REV.B 高性能 AC/DC 開關電源控制器集成電路 主要特點 v 内置集成 700V 高壓功率開關 v 内置高压启动电流源,固定启动延时 v 具有前沿消隱功能的逐周期電流限制 v 內部軟啟動功能 v 输出過載 过流 �


Lii Semiconductor
Lii Semiconductor

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LN9T15A

Application Guide and peripheral device design

请 联络代理商获取 完整应用指南 澎湃驱动力 源于力生美 padg-1002 应用指南 V1.0.0 LN9T15A/B 应用指南与外围器件设计 一、概述 LN9T15A/B 是专门设计用于高性能开关电源适配器的高压集成功率控制器集成电路,内 部包括 PWM 控制器


Lii Semiconductor
Lii Semiconductor

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LN9T15B

Application Guide and peripheral device design

请 联络代理商获取 完整应用指南 澎湃驱动力 源于力生美 padg-1002 应用指南 V1.0.0 LN9T15A/B 应用指南与外围器件设计 一、概述 LN9T15A/B 是专门设计用于高性能开关电源适配器的高压集成功率控制器集成电路,内 部包括 PWM 控制器


Lii Semiconductor
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LN9T25

High performance AC / DC switching power supply controller ICs

澎湃驅動力 源於力生美 LN9T25 REV.C 高性能 AC/DC 開關電源控制器集成電路 主要特點 v 內部集成 650V 高壓功率開關 v 內置全溫度精確時鐘振盪器 v 內置軟啟動和電流斜坡補償功能 v 具有前沿消隱功能的逐周期電流限制 v VDD 過壓保�


Lii Semiconductor
Lii Semiconductor

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