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| MDD3754 P-Channel Trench MOSFET MDD3754 P-Channel Trench MOSFET
MDD3754
P-Channel Trench MOSFET, -40V, -24.4A, 43mΩ
General Description
The MDD3754 uses advanced MagnaChip’s Trench MOSFET Technology to provided high performance in onstate resistance, switching performance and reliability.
Low RDS(ON), Low Gate Charge can be  MagnaChip |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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MDD142-08N1 HIgh Power Diode Modules
MDD 142
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 300 A IFAVM = 2x 165 A VRRM = 800-1800 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800
Type
MDD 142-08N1 MDD 142-12N1 MDD 142-14N1 MDD 142-16N1 MDD 142-18N1
312
2 1
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Symbol IFRMS I
FAVM
IFSM
i2dt
TVJ TVJM Tstg V
ISOL
Md
Weight
 IXYS Corporation  |
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MDD142-12N1 HIgh Power Diode Modules
MDD 142
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 300 A IFAVM = 2x 165 A VRRM = 800-1800 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800
Type
MDD 142-08N1 MDD 142-12N1 MDD 142-14N1 MDD 142-16N1 MDD 142-18N1
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Symbol IFRMS I
FAVM
IFSM
i2dt
TVJ TVJM Tstg V
ISOL
Md
Weight
IXYS Corporation |
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MDD142-14N1 HIgh Power Diode Modules
MDD 142
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 300 A IFAVM = 2x 165 A VRRM = 800-1800 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800
Type
MDD 142-08N1 MDD 142-12N1 MDD 142-14N1 MDD 142-16N1 MDD 142-18N1
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2 1
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Symbol IFRMS I
FAVM
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Weight
IXYS Corporation |
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MDD142-16N1 HIgh Power Diode Modules
MDD 142
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 300 A IFAVM = 2x 165 A VRRM = 800-1800 V
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MDD 142-08N1 MDD 142-12N1 MDD 142-14N1 MDD 142-16N1 MDD 142-18N1
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Symbol IFRMS I
FAVM
IFSM
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TVJ TVJM Tstg V
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Md
Weight
IXYS Corporation |
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MDD142-18N1 HIgh Power Diode Modules
MDD 142
High Power Diode Modules
IFRMS = 2x 300 A IFAVM = 2x 165 A VRRM = 800-1800 V
VRSM
V
900 1300 1500 1700 1900
VRRM
V
800 1200 1400 1600 1800
Type
MDD 142-08N1 MDD 142-12N1 MDD 142-14N1 MDD 142-16N1 MDD 142-18N1
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Symbol IFRMS I
FAVM
IFSM
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TVJ TVJM Tstg V
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IXYS Corporation |
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