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| ME4856 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particul PDF 다운로드  Matsuki |
| ME4856-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particul PDF 다운로드Matsuki |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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ME4102 NPN SIGNAL HIGH GAIN LOW NOISE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR Micro |
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