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| MJ3055 Bipolar NPN Device
MJ3055
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135)
6.35 (0.25) 9.15 (0.36)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
38.61 (1.52) 39.12 (1.54)
0.97 (0.060) 1.10 (0.043)
29.9 (1.177) 30.4 (1.197)
22.23 (0.875) PDF 다운로드  Seme LAB |
| MJ3055 Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
MJ3055
DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A
APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching an PDF 다운로드 Inchange Semiconductor |
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관련 검색 목록
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MJ3000 (MJ3000 / MJ3001) NPN Transistor PNP MJ3000 MJ3001
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS
The MJ3000, and MJ3001 are silicon epitaxial-base PNP power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-3 metal case. They are intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP typ  Comset Semiconductors  |
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MJ3000 Bipolar NPN Device
MJ3000
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135)
6.35 (0.25) 9.15 (0.36)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
38.61 (1.52) 39.12 (1.54)
0.97 (0.060) 1.10 (0.043)
29.9 (1.177) 30.4 (1.197)
22.23 (0.875)  Semelab PLC |
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MJ3000 (MJ3000 / MJ3001) Complementary Silicon Power Darlington Transistors
DataShe
e
DataShe
e
 ST Microelectronics |
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MJ3000 (MJ3000 / MJ3001) COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS PNP MJ3000 MJ3001
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS
The MJ3000, and MJ3001 are silicon epitaxial-base PNP power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-3 metal case. They are intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP typ Comset Semiconductors |
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MJ3000 Trans Darlington NPN 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve  New Jersey Semiconductor |
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