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MSC-G12864DYSY-1W LCD Module
LCD MODULE
MSC-G12864DYSY-1W
Version : 1.1
Aug 3, 1998
PHYSICAL DATA
Item LCD type LCD duty LCD bias Viewing direction Module size (W×H×T) Viewing area (W×H) Number of dots Dot size (W×H) Dot pitch (W×H) Contents STN 1, 64 1, 9 6 93 × 70 × 12MAX (3.66″ × 2.76″ × 0.47″MAX) 70.7  Truly  |
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MSC-G12864DYSY-5N LCD Module
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PRODUCT SPECIFICATIONS
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MSC-G12864DYSY-6W LCD Module
LCD MODULE
MSC-G12864DYSY-6W
Version : 1.1
Aug 3, 1998
! PHYSICAL DATA
Item LCD type LCD duty LCD bias Viewing direction Module size (W×H×T) Viewing area (W×H) Number of dots Dot size (W×H) Dot pitch (W×H) Contents STN 1, 64 1, 9 6 54 × 54 × 10MAX (2.13″ × 2.13″ × 0.39″MAX) 44.5 Truly |
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MSC0203S N and P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET MSC0203S
N and P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
General Features
● N-Channel
VDS = 20V,ID = 3A RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) < 90mΩ @ VGS=2.5V ● P-Channel
VDS = -20V,ID = -3A RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V
Lead Free
● High power and current hand  MORESEMI |
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MSC0205W Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET MSC0205W
20V(D-S) Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
General Features
● VDS =20V,ID =6A RDS(ON) < 28m Ω @ VGS=4.5V RDS(ON) < 37mΩ @ VGS=2.5V
● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current
Lead Free
Application
● Power swi MORESEMI |
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