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NE960R575

0.5 W X / Ku-BAND POWER GaAs MES FET

PRELIMINARY DATA SHEET N-CHANNEL GaAs MES FET NE960R5 SERIES 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE960R5 Series are 0.5 W GaAs MES FETs designed for middle power transmitter applications for X, Kuband microwave communication systems. It is capable of delivering 0.5 watt of output



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NE9002xx

(NE9000/1/2 Series) Ku-Band Medium Power GaAs MESFET

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datasheet NE9002xx pdf


NE944

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR FEATURES LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 2000 MH- TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE= 0.55 pF TYP NE944 SERIES DESCRIPTION The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistor


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NE94430

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR FEATURES LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 2000 MH- TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE= 0.55 pF TYP NE944 SERIES DESCRIPTION The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistor


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NE94433

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR FEATURES LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 2000 MH- TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE= 0.55 pF TYP NE944 SERIES DESCRIPTION The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistor


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NE960R2

0.2 W X / Ku-BAND POWER GaAs MES FET

PRELIMINARY DATA SHEET N-CHANNEL GaAs MES FET NE960R2 SERIES 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE960R2 Series are 0.2 W GaAs MES FETs designed for middle power transmitter applications for X, Kuband microwave communication systems. It is capable of delivering 0.2 watt of output


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