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P0406FCxxC

FLIP CHIP ARRAY

05155 P0406FC3.3C* thru Only One Name Means ProT ek’Tion™ P0406FC36C* FLIP CHIP ARRA Y APPLICA TIONS Cellular Phones MCM Boards Wireless Communication Circuits IR LEDs SMART & PCMCIA Cards IEC COMPA TIBILITY (EN61000-4) 61000-4-2 (ESD): Air - 15kV, Contact - 8kV 61000-4-4 (EFT): 40A -



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P0403BD

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0403BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 4.3mΩ @VGS = 10V ID 81A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Dr


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P0403BDA

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0403BDA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 4.6mΩ @VGS = 10V ID 77A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous D


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P0403BDG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0403BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 25V 4mΩ @VGS = 10V ID 84A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 25 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Dra


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P0403BK

N-Channel Field Effect Transistor

NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P0403BK NPAK SOP-8 Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30 4.0mΩ ID 35A D G D DDD G : GATE D : DRAIN S : SOURCE S #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMB


NIKO-SEM
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P0403BT

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0403BT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 4mΩ @VGS = 10V ID 112A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current2 Pulsed Drain Curre


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