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P0602A

solid state crowbar devices

Data Book and Design Guide TECCOR ELECTRONICS 1800 Hurd Drive Irving, Texas 75038 United States of America Phone: +1 972-580-7777 Fax: +1 972-550-1309 Web site: http:, , www.teccor.com E-mail: [email protected] An Invensys company Teccor Electronics is the proprietor of the SIDACtor®,



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Teccor Electronics
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P0602AA

solid state crowbar devices

Data Book and Design Guide TECCOR ELECTRONICS 1800 Hurd Drive Irving, Texas 75038 United States of America Phone: +1 972-580-7777 Fax: +1 972-550-1309 Web site: http:, , www.teccor.com E-mail: [email protected] An Invensys company Teccor Electronics is the proprietor of the SIDACtor®,



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P0602Z

solid state crowbar devices

Data Book and Design Guide TECCOR ELECTRONICS 1800 Hurd Drive Irving, Texas 75038 United States of America Phone: +1 972-580-7777 Fax: +1 972-550-1309 Web site: http:, , www.teccor.com E-mail: [email protected] An Invensys company Teccor Electronics is the proprietor of the SIDACtor®,


Teccor Electronics
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P0603BD

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0603BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 5.8mΩ @VGS = 10V ID 70A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Dr


UNIKC
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P0603BDB

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0603BDB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 5.8mΩ @VGS = 10V ID 72A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current2 Pulsed Drain Cur


UNIKC
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P0603BDD

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0603BDD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 5.8mΩ @VGS = 10V ID 71A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current2 Pulsed Drain Cur


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P0603BDF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0603BDF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 5.8mΩ @VGS = 10V ID 78A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current2 Pulsed Drain Cur


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