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P12NB30 STP12NB30
STP12NB30 STP12NB30FP
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH™ MOSFET
PRELIMINARY DATA TYPE STP3NB60 STP12NB30F P
s s s s s
V DSS 300 V 300 V
R DS(on) < 0.40 Ω < 0.40 Ω
ID 12A 6.5 A
TYPICAL RDS(on) = 0.34 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACI ST Microelectronics |
P12NB30FP STP12NB30
STP12NB30 STP12NB30FP
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH™ MOSFET
PRELIMINARY DATA TYPE STP3NB60 STP12NB30F P
s s s s s
V DSS 300 V 300 V
R DS(on) < 0.40 Ω < 0.40 Ω
ID 12A 6.5 A
TYPICAL RDS(on) = 0.34 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACI ST Microelectronics |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
P1200B Standard silicon rectifier diodes P 1200 A ... P 1200 S
Axial lead diode
Standard silicon rectifier diodes
.3
- 7 - A - 2 - B - 8 - C - - 1
=
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4
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1,
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#=1 #
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-
Semikron |
P1200D Silicon Rectifier Diodes 62.5 ±0.5 7,5 ±0.1
P1200A ... P1200G
Version 2012-10-01
Ø 8 ±0.1 Type
Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm]
P1200A ... P1200G
Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden
Nominal Current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoff Diotec |
P1200D Standard silicon rectifier diodes P 1200 A ... P 1200 S
Axial lead diode
Standard silicon rectifier diodes
.3
- 7 - A - 2 - B - 8 - C - - 1
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Semikron |
P1200G Silicon Rectifier Diodes 62.5 ±0.5 7,5 ±0.1
P1200A ... P1200G
Version 2012-10-01
Ø 8 ±0.1 Type
Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm]
P1200A ... P1200G
Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden
Nominal Current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoff Diotec |
P1200G Standard silicon rectifier diodes P 1200 A ... P 1200 S
Axial lead diode
Standard silicon rectifier diodes
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Semikron |
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