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P14NK60ZFP

STP14NK60ZFP

STP14NK60Z - STP14NK60ZFP STB14NK60Z, -1 - STW14NK60Z N-channel 600V - 0.45Ω - 13.5A TO-220, FP-D2, I2PAK-TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET General features Type STP14NK60Z STP14NK60ZFP STB14NK60Z STB14NK60Z-1 STW14NK60Z VDSS 600V 600V 600V 600V 600V RDS(on) ID <0.5Ω 13.5A <0.5



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P1402CDG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P1402CDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 20V 14mΩ @VGS = 4.5V ID 45A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±12 Continuous Drain Current Pulsed Drain Curr


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P1402Z

solid state crowbar devices

Data Book and Design Guide TECCOR ELECTRONICS 1800 Hurd Drive Irving, Texas 75038 United States of America Phone: +1 972-580-7777 Fax: +1 972-550-1309 Web site: http:, , www.teccor.com E-mail: sidactor.techsales@teccor.com An Invensys company Teccor Electronics is the proprietor of the SIDACtor®,


Teccor Electronics
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P1403CV

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P1403CV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 14.6mΩ @VGS = 10V ID 11A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ±12 Continuous


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P1403EK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P1403EK P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -30V 14mΩ @VGS = 10V ID -30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -30 Gate-Source Voltage VGS


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P1403EV8

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P1403EV8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -30V 14mΩ @VGS = -10V ID - 12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -30 Gate-Source Voltage VGS ±20 Contin


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