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| P3N90FI STP3N90FI   ST Microelectronics |
기타 추천 정보 |
[수리]PD1200B Dustbuster Flexi 무선 코끼리 진공 청소기...
위 ST2N 2907A 데이터 시트를 검색해보면 PNP 트렌지스터라고 되어있는데 이걸모르고 ST2N 3904 인 NPN... 다행히 폭발한다던가 하지는 않았는데 PNP 트렌지스터가 회로에서 엄청 희귀한 부품이라(업계에서 거의 쓰질...
내가보기위한의 블로그 - 작성일 : 20260120
[MQ4 PE 쏘렌토 바닥엠보싱] 신형 하이브리드 쏘렌토 모빌하임...
등의 데이터를 확보하여 거의 모든 차량에 시공이 가능 합니다. 기타 자세한 내용은 아래 링크를... 실내 탈거 바닥 전체에 엠보싱 원단을 깔아야 하기에 관련된 모든 부품들인 시트 , 센터콘솔 , 도어스커프...
더디테일 - 작성일 : 20250225
충주 카니발 신차패키지 엠보싱 가죽장판 매트 시공. (진천...
카니발 / P3 / 커피브라운 ▼ 차량 내부 시트 및 몰딩 모든 부품 탈거와 결합을 통해 빈틈없는 시공 진행 정밀한 3d 스캔작업을 통해 차량 1:1 맞춤형 데이터로 완벽한 밀착핏으로 제작 매력 넘치는 컬러로...
• T H E C H A 더 차 • ✨since 2015~ - 작성일 : 20250709
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록 |
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P3NA60 STP3NA60 STP3NA60 STP3NA60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STP3NA60 STP3NA60FI
VDSS
600 V 600 V
RDS(on)
<4Ω <4Ω
ID
2.9 A 2.1 A
s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC s LOW INTRINSIC  STMicroelectronics  |
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P3NA80FI STP3NA80FI
STP3NA80 STP3NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP3NA80 STP3NA80FI
s s s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS( on) < 4.5 Ω < 4.5 Ω
ID 3.1 A 2A
TYPICAL RDS(on) = 3.5 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC STMicroelectronics |
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P3NA90FI STP3NA90FI STP3NA90 STP3NA90FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE
ST P3NA 90 ST P3NA 90FI
VDSS
900 V 900 V
RDS(o n)
< 5.3 Ω < 5.3 Ω
ID
3A 1.9 A
s TYPICAL RDS(on) = 4.4 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DA STMicroelectronics |
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P3NB60FP STP3NB60 m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI ST Microelectronics |
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P3NB60FP STP3NB60FP m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI ST Microelectronics |
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