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P3NA50

STP3NA50

STP3NA50 STP3NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP3NA50 STP3NA50FI VDSS 500 V 500 V RDS(on) <3Ω <3Ω ID 3.3 A 2.3 A s TYPICAL RDS(on) = 2.4 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC s LOW INTRINSIC



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P3NA60

STP3NA60

STP3NA60 STP3NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP3NA60 STP3NA60FI VDSS 600 V 600 V RDS(on) <4Ω <4Ω ID 2.9 A 2.1 A s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC s LOW INTRINSIC


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P3NA80FI

STP3NA80FI

STP3NA80 STP3NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP3NA80 STP3NA80FI s s s s s s s V DSS 800 V 800 V R DS( on) < 4.5 Ω < 4.5 Ω ID 3.1 A 2A TYPICAL RDS(on) = 3.5 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC


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P3NA90FI

STP3NA90FI

STP3NA90 STP3NA90FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE ST P3NA 90 ST P3NA 90FI VDSS 900 V 900 V RDS(o n) < 5.3 Ω < 5.3 Ω ID 3A 1.9 A s TYPICAL RDS(on) = 4.4 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DA


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P3NB60FP

STP3NB60

m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A s s s s s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI


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P3NB60FP

STP3NB60FP

m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A s s s s s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI


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