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P3NB80 STP3NB80 m o .c U 4 STP3NB80 t e STP3NB80FP e h S N - CHANNEL 800V - 4.6Ω - 2.6A - TO-220, TO-220FP a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
®
TYPE
V DSS
R DS(on)
ID
STP3NB80 STP3NB80FP
800 V 800 V
< 6.5 Ω < 6.5 Ω
2.6 A 2.6 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 4.6 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 1 PDF 다운로드ST Microelectronics |
P3NB80FP STP3NB80FP m o .c U 4 STP3NB80 t e STP3NB80FP e h S N - CHANNEL 800V - 4.6Ω - 2.6A - TO-220, TO-220FP a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
®
TYPE
V DSS
R DS(on)
ID
STP3NB80 STP3NB80FP
800 V 800 V
< 6.5 Ω < 6.5 Ω
2.6 A 2.6 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 4.6 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 1 PDF 다운로드ST Microelectronics |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
P3NA60 STP3NA60 STP3NA60 STP3NA60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STP3NA60 STP3NA60FI
VDSS
600 V 600 V
RDS(on)
<4Ω <4Ω
ID
2.9 A 2.1 A
s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC s LOW INTRINSIC STMicroelectronics |
P3NA80FI STP3NA80FI
STP3NA80 STP3NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP3NA80 STP3NA80FI
s s s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS( on) < 4.5 Ω < 4.5 Ω
ID 3.1 A 2A
TYPICAL RDS(on) = 3.5 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC STMicroelectronics |
P3NA90FI STP3NA90FI STP3NA90 STP3NA90FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE
ST P3NA 90 ST P3NA 90FI
VDSS
900 V 900 V
RDS(o n)
< 5.3 Ω < 5.3 Ω
ID
3A 1.9 A
s TYPICAL RDS(on) = 4.4 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DA STMicroelectronics |
P3NB60FP STP3NB60 m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI ST Microelectronics |
P3NB60FP STP3NB60FP m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI ST Microelectronics |
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