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| P3NK80Z STP3NK80Z
STP3NK80Z - STF3NK80Z STD3NK80Z - STD3NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 3.8Ω - 2.5A TO-220, FP, DPAK, IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
TYPE
VDSS RDS(on)
ID
Pw
STP3NK80Z STF3NK80Z STD3NK80Z STD3NK80Z-1
800 V 800 V 800 V 800 V
< 4.5 Ω < 4.5 Ω < 4.5 Ω < 4.5 Ω
2.5 A 2.5 A 2.5 A PDF 다운로드  STMicroelectronics |
국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
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P3NA60 STP3NA60 STP3NA60 STP3NA60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STP3NA60 STP3NA60FI
VDSS
600 V 600 V
RDS(on)
<4Ω <4Ω
ID
2.9 A 2.1 A
s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC s LOW INTRINSIC STMicroelectronics  |
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P3NA80FI STP3NA80FI
STP3NA80 STP3NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP3NA80 STP3NA80FI
s s s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS( on) < 4.5 Ω < 4.5 Ω
ID 3.1 A 2A
TYPICAL RDS(on) = 3.5 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC STMicroelectronics |
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P3NA90FI STP3NA90FI STP3NA90 STP3NA90FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE
ST P3NA 90 ST P3NA 90FI
VDSS
900 V 900 V
RDS(o n)
< 5.3 Ω < 5.3 Ω
ID
3A 1.9 A
s TYPICAL RDS(on) = 4.4 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DA STMicroelectronics |
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P3NB60FP STP3NB60 m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI  ST Microelectronics |
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P3NB60FP STP3NB60FP m o .c U 4 STP3NB60 t e STP3NB60FP e h S N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB60 STP3NB60FP 600 V 600 V <3.6 Ω < 3.6 Ω 3.3 A 2.2 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSI ST Microelectronics |
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