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P4N60

SSP4N60

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.) SSP4N60AS BVDSS = 600 V RDS(on) = 2.5 Ω ID = 4 A T



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P4NA40F1

STP4NA40F1

STP4NA40 STP4NA40FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP4NA40 STP4NA40FI s s s s s s s V DSS 400 V 400 V R DS( on) < 2Ω < 2Ω ID 4A 2.8 A TYPICAL RDS(on) = 1.7 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTR


ST Microelectronics
ST Microelectronics

datasheet P4NA40F1 pdf


P4NA60FI

STP4NA60FI

STP4NA60 STP4NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP4NA60 STP4NA60FI s s s s s s s V DSS 600 V 600 V R DS( on) < 2.2 Ω < 2.2 Ω ID 4.3 A 2.7 A TYPICAL RDS(on) = 1.85 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 10


STMicroelectronics
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datasheet P4NA60FI pdf


P4NA80

STP4NA80 N-Channel MOS Transistor

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP4NA80 STP4NA80FI s s s s s s s VDSS 800 V 800 V R DS(on) <3Ω <3Ω ID 4A 2.5 A TYPICAL RDS(on) = 2.4 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTRI


ST Microelectronics
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datasheet P4NA80 pdf


P4NA80FI

STP4NA80FI

STP4NA80 STP4NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP4NA80 STP4NA80FI s s s s s s s V DSS 800 V 800 V R DS( on) < 3Ω < 3Ω ID 4A 2.5 A TYPICAL RDS(on) = 2.4 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW


ST Microelectronics
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datasheet P4NA80FI pdf


P4NB10

STP4NB10

® STP4NB100 STP4NB100FP N - CHANNEL 1000V - 4Ω - 3.8A - TO-220, TO-220FP PowerMESH™ MOSFET TYPE ST P4NB100 ST P4NB100FP s s s s s V DSS 1000 V 1000 V R DS(on) < 4.4 Ω < 4.4 Ω ID 3.8 A 3.8 A TYPICAL RDS(on) = 4 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRI


ST Microelectronics
ST Microelectronics

datasheet P4NB10 pdf



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