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검색 결과 목록
| P4NB80FP STP4NB80FP ®
STP4NB80 STP4NB80FP
N - CHANNEL 800V - 3Ω - 4A - TO-220, TO-220FP PowerMESH™ MOSFET
TYPE STP4NB80 STP4NB80FP
s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS(on) 3.3 Ω 3.3 Ω
ID 4A 4A
TYPICAL RDS(on) = 3 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE  STMicroelectronics |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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P4NA40F1 STP4NA40F1 STP4NA40 STP4NA40FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP4NA40 STP4NA40FI
s s s s s s s
V DSS 400 V 400 V
R DS( on) < 2Ω < 2Ω
ID 4A 2.8 A
TYPICAL RDS(on) = 1.7 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTR  ST Microelectronics  |
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P4NA60FI STP4NA60FI
STP4NA60 STP4NA60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP4NA60 STP4NA60FI
s s s s s s s
V DSS 600 V 600 V
R DS( on) < 2.2 Ω < 2.2 Ω
ID 4.3 A 2.7 A
TYPICAL RDS(on) = 1.85 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 10 STMicroelectronics |
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P4NA80 STP4NA80 N-Channel MOS Transistor
STP4NA80 STP4NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP4NA80 STP4NA80FI
s s s s s s s
VDSS 800 V 800 V
R DS(on) <3Ω <3Ω
ID 4A 2.5 A
TYPICAL RDS(on) = 2.4 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTRI ST Microelectronics |
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P4NA80FI STP4NA80FI
STP4NA80 STP4NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP4NA80 STP4NA80FI
s s s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS( on) < 3Ω < 3Ω
ID 4A 2.5 A
TYPICAL RDS(on) = 2.4 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW ST Microelectronics |
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P4NB10 STP4NB10
®
STP4NB100 STP4NB100FP
N - CHANNEL 1000V - 4Ω - 3.8A - TO-220, TO-220FP PowerMESH™ MOSFET
TYPE ST P4NB100 ST P4NB100FP
s s s s s
V DSS 1000 V 1000 V
R DS(on) < 4.4 Ω < 4.4 Ω
ID 3.8 A 3.8 A
TYPICAL RDS(on) = 4 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRI ST Microelectronics |
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