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P5504EDG

P-Channel Logic Level Enhancement

NIKO-SEM P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P5504EDG TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS -40V RDS(ON) 55mΩ ID -21A G S 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS Drain-Source Volt



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P5504EDG

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P5504EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -40V 55mΩ @VGS = -10V ID -21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -40 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuo



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P5504EVG

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P5504EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -40V 55mΩ @VGS = -10V ID -6A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -40 Gate-Source Voltage VGS ±25 Continuo


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P5504EVG

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor P5504EVG SOP-8 Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS -40V RDS(ON) 55m ID -5.5A 4 :GATE 5,6,7,8 :DRAIN 1,2,3 :SOURCE G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS Drain-Source


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P5506BDG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P5506BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 60V 55mΩ @VGS = 10V ID 22A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Dr


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P5506BDG

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement P5506BDG Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 60 55mΩ ID 22A D G 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SY


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P5506BVG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P5506BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 60V 55mΩ @VGS =10V ID 5.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous D


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