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| QS8J4 4V Drive Pch Pch MOSFET
4V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8J4
Structure Silicon P-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)
TSMT8
(8) (7) (6) (5)
Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive).
(1) (2)
(3) (4)
Abbreviated symbol : J04
Application Switching
Packaging specifica   ROHM Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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QS8J5 4V Drive Pch Pch MOSFET
4V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8J5
Structure Silicon P-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)
TSMT8
(8) (7) (6) (5)
Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive).
(1) (2)
(3) (4)
Abbreviated symbol : J05
Application Switching
Packaging specifica ROHM Semiconductor  |
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QS8K2 30V Nch +Nch Middle Power MOSFET QS8K2
30V Nch +Nch Middle Power MOSFET
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
30V 54mΩ ±3.5A 1.5W
lFeatures
1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lOutline
TSMT8
lInner circuit
ROHM Semiconductor |
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QS8K21 4V Drive Nch Nch MOSFET
4V Drive Nch + Nch MOSFET
QS8K21
Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)
TSMT8
(8) (7) (6) (5)
Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive).
(1) (2)
(3) (4)
Abbreviated symbol : K21
Application Switching
Packaging specific ROHM Semiconductor |
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QS8M11 Power MOSFET ( Transistor ) UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
QS8M11
Preliminary
DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL, P-CHANNEL)
Power MOSFET
DESCRIPTION
The UTC QS8M11 uses UTC’s advanced technology to provide the customers with low voltage drive, etc.
The UTC QS8M11 is suitable for switching.
FEATURES
* N-Channel: 30V, 3  Unisonic Technologies |
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