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R6007MND3 MOSFET ( Transistor ) R6007MND3
Nch 600V 7A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
600V
lOutline
RDS(on)(Max.)
0.730Ω
ID
±7A
TO-252
PD
95W
lFeatures
1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to ![]() ![]() ROHM Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
R6004END Nch 600V 4A Power MOSFET R6004END
Nch 600V 4A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
600V
lOutline
TO-252
RDS(on)(Max.)
0.98Ω
SC-63
ID
±4.0A
CPT3
PD
lFeatures
58W
lInner circuit
1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be � ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
R6004ENX Nch 600V 4A Power MOSFET R6004ENX
Nch 600V 4A Power MOSFET
Data Sheet
VDSS RDS(on) (Max.)
ID PD
lFeatures 1) Low on-resistance.
600V 980mW
4A 40W
lOutline
TO-220FM
lInner circuit
(1) (2) (3)
2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
R6004KND Nch 600V 4A Power MOSFET R6004KND
Nch 600V 4A Power MOSFET
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
600V 0.98Ω ±4.0A 58W
lFeatures
1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
lOutline
TO-252
SC-63
CPT3
lInner circuit
Datas ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
R6004KNJ Nch 600V 4A Power MOSFET R6004KNJ
Nch 600V 4A Power MOSFET
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
600V 0.98Ω ±4.0A 58W
lFeatures
1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lOutline
TO-263
SC-83
LPT(S)
lInner circuit
Data ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
R6004KNX Nch 600V 4A Power MOSFET R6004KNX
Nch 600V 4A Power MOSFET
Datasheet
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
600V 0.98Ω ±4.0A 40W
lFeatures
1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lOutline
TO-220FM
lInner circuit
![]() ROHM Semiconductor ![]() |
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