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RBE1VA20A Schottky Barrier Diode Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RBE1VA20A
Applications General rectification Dimensions (Unit : mm)
0.17±0.1 0.05 1.3±0.05
Land size figure (Unit : mm)
1.1
1.9±0.1
2.5±0.2
TUMD2
Structure
0.8±0.05
ROHM : TUMD2 dot (year week factory)
0.6±0.2 0.1
Taping dimensio ![]() ![]() ROHM Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
RBE1KA20A Schottky Barrier Diode Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RBE1KA20A
lApplications Rectifying Small Power lDimensions (Unit : mm)
2.0±0.1 1.3±0.1 0.65 0.65 0.85MAX 0.77±0.05
lFeatures 1)Small power mold type (TUMD5) 2)High reliability
2.1±0.1
1.7±0.1
0~0.1
0.2MAX
0.3 -0.05
+0.1
0.17±0.05 1pin mark
R ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
RBE1VA20A Schottky Barrier Diode Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RBE1VA20A
Applications General rectification Dimensions (Unit : mm)
0.17±0.1 0.05 1.3±0.05
Land size figure (Unit : mm)
1.1
1.9±0.1
2.5±0.2
TUMD2
Structure
0.8±0.05
ROHM : TUMD2 dot (year week factory)
0.6±0.2 0.1
Taping dimensio ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
RBE2EA20A Schottky Barrier Diode Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RBE2EA20A
lApplications Low current rectification lDimensions (Unit : mm) lLand size figure (Unit : mm)
0.8
2.9±0.1 0.4 -0.05 各リ ドとも同寸法 Each lead has
+0.1
1.6 -0.1
2.8±0.2
lFeatures 1)Small mold type.(TSMD5) 2)High reliability
(5)
(4) ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
RBE2VA20A Schottky Barrier Diode Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RBE2VA20A
lApplications Rectifying Small Power lDimensions (Unit : mm)
0.17±0.1 0.05 1.3±0.05
lLand size figure (Unit : mm)
1.1
1.9±0.1
2.5±0.2
TUMD2
lStructure
0.8±0.05
ROHM : TUMD2 dot (year week factory)
0.6±0.2 0.1
lTaping dimensi ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
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