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RJP4003ANS

Nch IGBT

RJP4003ANS Nch IGBT for Strobe Flash REJ03G1474-0100 Rev.1.00 Oct 13, 2006 Features Ultra small surface mount package (VSON-8) VCES: 400 V ICM: 150 A Drive voltage: 4 V Outline RENESAS Package code: PVSN0008JA-A (Package name: VSON-8) 5 8 4 1 1 2 3 4 8 7 6 5 1, 2, 3 : Emitter 4: Gate



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RJP1CS03DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS03DWT, RJP1CS03DWA 1250V - 30A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0826EJ0001 Rev.0.01 Jul 03


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RJP1CS04DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS04DWT, RJP1CS04DWA 1250V - 50A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0827EJ0004 Rev.0.04 Jun 05


Renesas
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RJP1CS04DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS04DWT, RJP1CS04DWA 1250V - 50A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0827EJ0004 Rev.0.04 Jun 05


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RJP1CS05DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS05DWT, RJP1CS05DWA 1250V - 75A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0828EJ0001 Rev.0.01 Jul 05


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RJP1CS05DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS05DWT, RJP1CS05DWA 1250V - 75A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0828EJ0001 Rev.0.01 Jul 05


Renesas
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