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RJP4003ASA

Nch IGBT

RJP4003ASA Nch IGBT for Strobe Flash REJ03G1475-0100 Rev.1.00 Oct 13, 2006 Features Small surface mount package (TSSOP-8) VCES : 400 V ICM : 150 A Drive voltage : 4 V Outline RENESAS Package code: PTSP0008JB-B (Package name: TSSOP-8 ) 5 8 4 1 4 3 2 1 1, 2, 3, 4 : Collector 5, 6, 7



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Renesas Technology
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RJP1CS03DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS03DWT, RJP1CS03DWA 1250V - 30A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0826EJ0001 Rev.0.01 Jul 03


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RJP1CS04DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS04DWT, RJP1CS04DWA 1250V - 50A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0827EJ0004 Rev.0.04 Jun 05


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RJP1CS04DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS04DWT, RJP1CS04DWA 1250V - 50A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0827EJ0004 Rev.0.04 Jun 05


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RJP1CS05DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS05DWT, RJP1CS05DWA 1250V - 75A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0828EJ0001 Rev.0.01 Jul 05


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RJP1CS05DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS05DWT, RJP1CS05DWA 1250V - 75A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0828EJ0001 Rev.0.01 Jul 05


Renesas
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