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RJP5001APP

Nch IGBT

RJP5001APP Nch IGBT for Strobe Flash REJ03G1710-0100 Rev.1.00 Jul 03, 2008 Features VCES : 500 V TO-220FN package High Speed Switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AB-A (Package name: TO-220FN) 2 1 1 : Gate 2 : Collector 3 : Emitter 1 2 3 3 Applications Strobe flash Maximum Rati

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RJP1CS03DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS03DWT, RJP1CS03DWA 1250V - 30A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0826EJ0001 Rev.0.01 Jul 03


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RJP1CS04DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS04DWT, RJP1CS04DWA 1250V - 50A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0827EJ0004 Rev.0.04 Jun 05


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RJP1CS04DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS04DWT, RJP1CS04DWA 1250V - 50A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0827EJ0004 Rev.0.04 Jun 05


Renesas
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RJP1CS05DWA

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS05DWT, RJP1CS05DWA 1250V - 75A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0828EJ0001 Rev.0.01 Jul 05


Renesas
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RJP1CS05DWT

IGBT

Preliminary Datasheet RJP1CS05DWT, RJP1CS05DWA 1250V - 75A - IGBT Application: Inverter Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) High speed switching Short circuit withstands time (10 s min.) R07DS0828EJ0001 Rev.0.01 Jul 05


Renesas
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