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RM215TRB-10PC

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RM20

HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE

RM20TN-H A S D G H E R B R "Y" F P Z Q ~ ~ ~ TYP + N L - φ"X" K J T C W M U V Description: Mitsubishi Three-Phase Diode Bridge Modules are designed for use in applications requiring rectification of three-phase AC lines into DC voltage. Each module consists of six diodes and the interc


Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor

datasheet RM20 pdf


RM2000E

(RM1200E - RM1800E) High Voltage Silicon Rectifier

MCC TM Micro Commercial Components   omponents 20736 Marilla Street Chatsworth    !"# $ %    !"# RM1200E THRU RM2000E 500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts Features x Low Cost Low Leakage Low Forward Voltage Dr


MCC
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datasheet RM2000E pdf


RM200DA-20F

HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES RM200DA-20F,-24F HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE RM200DA-20F,-24F DC current ................................ 200A Repetitive peak reverse voltage ........ 1000, 1200V trr Reverse recovery time ............. 0.8 s Insulated Type UL Recognized Yell


Mitsubishi Electric Semiconductor
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RM200DA-24F

HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES RM200DA-20F,-24F HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE RM200DA-20F,-24F DC current ................................ 200A Repetitive peak reverse voltage ........ 1000, 1200V trr Reverse recovery time ............. 0.8 s Insulated Type UL Recognized Yell


Mitsubishi Electric Semiconductor
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RM200HA-20F

HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES RM200HA-20F,-24F HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE RM200HA-20F,-24F DC current ................................ 200A Repetitive peak reverse voltage ................. 1000, 1200V trr Reverse recovery time ............. 0.8 s Insulated Type UL Recogn


Mitsubishi Electric Semiconductor
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