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RQA0002DNS

Silicon N-Channel MOS FET

RQA0002DNS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G0583-0301 Rev.3.01 Nov 21, 2007 Features High output power, High gain, High efficiency Pout = +39.6 dBm, Linear gain = 20 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Small outline package (WSON0504-2: 5.0 × 4.0 × 0.8 mm) Outline RENESAS Package code: PWSN0002ZA-B (



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RQA0004LXAQS

Silicon N-Channel MOS FET

RQA0004LXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1567-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +29 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A (Package Name


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RQA0004PXDQS

Silicon N-Channel MOS FET

RQA0004PXDQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1489-0100 Rev.1.00 Dec 12, 2006 Features High Output Power, High Efficiency Pout = +29 dBm, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A (Package Name : UPAK R ) 3 3 2 1 1 4 1. Ga


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RQA0005MXAQS

Silicon N-Channel MOS FET

RQA0005MXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1568-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A (Package Name


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RQA0005QXDQS

Silicon N-Channel MOS FET

RQA0005QXDQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1325-0100 Rev.1.00 Oct 16, 2006 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A R ) (Package N


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RQA0008NXAQS

Silicon N-Channel MOS FET

RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A (Package Name


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